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《近代半导体材料的表面科学基础》是北京大学物理丛书中的《近代半导体材料的表面科学基础》分册，全书共分上、下两篇，共十四章，其内容包括基础篇和专题篇等等，详尽地阐述了近代半导体材料的表面科学。《近代半导体材料的表面科学基础》内容全面，条理清晰，结构合理，讲解循序渐进，通俗易懂，具有较强的针对性及理论性，可供参考。

绪论

上篇 基础

第一章 二维结晶学

引言

1.1 二维晶体的周期性与对称性

1.2 命名法

参考文献

第二章 表面形态与原子排列

引言

2.1 表面能

2.2 表面热力学函数

2.3 平衡表面形态

2.4 悬键

2.5 表面能的估算

2.6 表面缺陷

2.7 邻位面与台阶

2.8 台阶蜿蜒与TSK模型

2.9 理想表面原子排列

一般参考书目

参考文献

第三章 表面吸咐

引言

3.1 物理吸附

3.2 化学吸附

3.3 Lennard-Jones模型

3.4 吸附物诱导的功函数变化

3.5 气-固表面吸附的力能学

3.6 气-固表面吸附动力学

3.7 吸附等温线

一般参考书目

参考文献

第四章 表面电子性质

引言

4.1 经典线性链模型

4.2 近自由电子模型

4.3 紧束缚近似

4.4 表面势

4.5 定域态密度

4.6 表面能带

4.7 光电能谱

一般参考书目

参考文献

第五章 表面振动与散射

引言

5.1 Rayleigh表面波

5.2 晶格的表面振动模

5.3 离子束弹性散射

5.4 低能电子束的非弹性散射

5.5 低能电子束的弹性散射

5.6 表面光束散射

一般参考书目

参考文献

下篇 专题本书参考书目

……

本书参考书目

部分缩写名词

部分符号表

许振嘉，1929年出生，复旦大学物理系毕业。60年代初在英国进修、学术访问。中国科学院半导体研究所研究员。早年曾研究电子化合物的有序相变，Ⅲ-V族化合物半导体，半导体的检测、分析和半导体的杂质、缺陷态等。近年从事半导体表面，界面研究。在国内外学术期刊上发表学术论文和著作百余篇。主持撰写的专著《半导体的检测与分析》被评为科学出版社(1984-1985)年优秀图书。两次获中国科学院自然科学二等奖。

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书籍介绍

《近代半导体材料的表面科学基础》是北京大学物理丛书中的《近代半导体材料的表面科学基础》分册，全书共分上、下两篇，共十四章，其内容包括基础篇和专题篇等等，详尽地阐述了近代半导体材料的表面科学。《近代半导体材料的表面科学基础》内容全面，条理清晰，结构合理，讲解循序渐进，通俗易懂，具有较强的针对性及理论性，可供参考。